三星在先进节点中积极应用FOPLP技术，其用于可穿戴设备的Exynos W920处理器结合了5纳米EUV工艺与FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技术；AMD、英伟达等公司正与台积电及OSAT供应商合作，计划将FOPLP整合至其下一代芯片产品。中国大陆厂商也在积极布局FOPLP领域，华润微电子、成都奕斯伟、中科四合等已进入该领域，部分具备量产能力。
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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
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